一、等離子刻蝕的核心原理：物理刻蝕與化學(xué)刻蝕的協(xié)同

 

1.等離子體的產(chǎn)生與特性

 

產(chǎn)生機制：通過射頻（RF）、微波或電感耦合（ICP）等能量源，使刻蝕氣體（如CF?、Cl?、O?等）在真空腔體內(nèi)電離，形成由離子、電子、自由基和中性粒子組成的等離子體。

 

關(guān)鍵特性：等離子體中的高能離子（如F?、Cl?）在電場作用下定向轟擊材料表面（物理刻蝕），而活性自由基（如CF?、Cl）則與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成易揮發(fā)產(chǎn)物（化學(xué)刻蝕）。

 

2.物理刻蝕與化學(xué)刻蝕的協(xié)同作用

 

物理刻蝕：離子轟擊使材料原子獲得足夠能量脫離表面，特點是刻蝕方向性強（垂直刻蝕），適合形成高深寬比結(jié)構(gòu)，但選擇性較差（對不同材料刻蝕速率差異?。?。

 

化學(xué)刻蝕：自由基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，如SiO?與F?反應(yīng)生成SiF?氣體，特點是刻蝕選擇性高，但方向性弱（各向同性刻蝕）。

 

協(xié)同優(yōu)勢：通過調(diào)節(jié)等離子體參數(shù)（如離子能量、自由基濃度），可在“高深寬比刻蝕”與“高選擇性刻蝕”之間取得平衡，滿足不同工藝需求（如邏輯芯片柵極刻蝕、存儲芯片深孔刻蝕）。

 

二、典型應(yīng)用場景與刻蝕技術(shù)差異

 

1.邏輯芯片制造

 

柵極刻蝕：采用高深寬比刻蝕（如ICP技術(shù)），通過高離子能量與精確控溫，形成垂直側(cè)壁（偏差＜1°），避免短溝道效應(yīng)。

 

接觸孔刻蝕：要求高選擇性（刻蝕硅/氧化硅速率比＞10:1），以保護底層器件不被損傷。

 

2.3DNAND存儲芯片

 

深孔刻蝕：需刻蝕深度達數(shù)微米（如1000層以上3DNAND孔深＞5μm），通過“刻蝕-鈍化”循環(huán)工藝（如Bosch工藝），利用CF?/O?與C?F?交替通入，形成側(cè)壁鈍化層，防止孔壁坍塌。

 

3.功率器件制造

 

碳化硅（SiC）刻蝕：因材料硬度高，需高能量離子轟擊（如使用Ar+離子），結(jié)合Cl?氣體增強化學(xué)刻蝕，刻蝕速率可達100nm/min以上。

 

總結(jié)

 

等離子刻蝕機的工作原理本質(zhì)是通過等離子體調(diào)控實現(xiàn)物理與化學(xué)刻蝕的精準(zhǔn)協(xié)同，其技術(shù)核心在于通過電源、氣體、真空等系統(tǒng)的精密控制，在不同應(yīng)用場景下平衡刻蝕速率、選擇性與方向性。隨著半導(dǎo)體工藝向3nm以下節(jié)點演進，刻蝕技術(shù)正朝著更高精度、更低損傷和智能化方向發(fā)展，成為支撐摩爾定律延續(xù)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。